東南網3月27日（福建日報記者　廖麗萍　通訊員　雷飏）記者從廈門火炬高新區管委會獲悉，園區企業聯芯集成電路制造（廈門）有限公司已于今年2月成功試產采用28納米High-K/Metal Gate工藝制程的客戶產品，試產良率高達98%。這是該公司28納米Poly/SiON制程技術成功量產以來，再次取得技術發展上的新里程碑。

據介紹，聯芯28納米High- K/Metal Gate工藝制程采用了目前全球最先進的Gate Last制程技術，能大幅減少柵極的漏電量，提升晶體管的性能，可以應用于更多樣化的各類電子產品。

目前，聯芯能同時提供Poly/SiON和High-K/Metal Gate工藝技術，成為國內最先進的28納米晶圓專工企業，標志著廈門集成電路制造水平又邁上了一個新臺階，對奠定廈門集成電路產業在全國的戰略地位具有重要意義。

聯芯集成電路制造項目總投資62億美元，是海峽兩岸合資建設的第一座12英寸晶圓廠，也是福建省目前投資金額最大的單體項目。聯芯于2016年11月正式營運投產，目前公司正全力提速至滿載產能。